Компания Samsung сообщила о начале массового производства твердотельных NVMe-накопителей PM9E1 с интерфейсом PCIe 5.0 x4. В решениях производителя используется фирменный контроллер, который выпускается по 5-нм техпроцессу, а также чипы флеш-памяти V-NAND 8-го поколения (V8). Компания заявляет о высокой энергоэффективности и производительности новинок. Для твердотельных накопителей PM9E1 заявлена скорость последовательного чтения до 14,5 Гбайт/с и последовательной записи до 13 Гбайт/с. Samsung PM9E1 представлен в версиях объёмом 512 Гбайт, 1, 2 и 4 Тбайт. Производитель заявляет повышенную более чем 50 % энергоэффективность новых накопителей по сравнению с SSD предыдущего поколения. Все накопители […]