21.07.2026
CFET: быстрее, меньше, надёжней
Без рубрикиadminКак стало известно в середине 2026 года, исследовательская группа под руководством Сюэлэя Ляна (Xuelei Liang) из Школы электроники Пекинского университета впервые в мире создала логические контуры целиком на транзисторах CFET — с каналами из углеродных нанотрубок. По утверждению разработчиков, структура единичного транзистора вышла эффективной и простой: расположенные одна над другой зоны дырочной (n-FET) и электронной (p-FET) проводимости идентичны по площади и прекрасно согласуются по электрическим характеристикам. Построенный из таких транзисторов усилитель продемонстрировал завидную эффективность, достигнув при работе под напряжением 1,0 В пикового коэффициента усиления 164 — самого высокого из когда-либо […]