15.05.2026
Японцы создали магнитную память на квантовых эффектах — она в 25 раз быстрее DRAM, почти не греется и не изнашивается
Без рубрикиadminУчёные Токийского университета (The University of Tokyo) совместно с коллегами из Центра RIKEN CEMS представили принципиально новый тип энергоэффективного элемента памяти на основе квантово-механических явлений. Переключение состояний элемента опирается на перенос спин-орбитального момента электрона вместо обычного потока электронов (электрического тока), что позволяет памяти работать быстрее, с ничтожным потреблением и почти без износа. Обзор Apple MacBook Neo: удивительно хороший ноутбук с процессором от iPhone Можно ли экономить на DDR5 для Ryzen? Сравниваем дешёвую память с дорогой От Ryzen 7 1800X до Ryzen 7 9850X3D: девять лет эволюции AMD в одном тесте […]