23.04.2026
3D X-DRAM впервые воплотили в кремнии — оперативная память будущего стала ближе
Без рубрикиadminСтековое размещение ячеек оперативной памяти могло бы значительно повысить плотность хранения данных и решить проблему дефицита ОЗУ. Первый шаг в этом направлении сделала память HBM, но это оказалось недёшево и не для всех. Прорыв мог бы произойти только в том случае, если бы память DRAM пошла по пути производства памяти 3D NAND. Пока этого не произошло, но первый прототип такого решения уже воплощён в кремнии и привлёк внимание именитых инвесторов. Обзор ноутбука HONOR MagicBook X16 2026: как раньше, только лучше Ryzen и 16 Гбайт DDR5: как сэкономить на памяти так, […]