25.07.2026
SK hynix ускоряет разработку 3D-стекированной DRAM — технологии, аналогичной 3D V-Cache, но для памяти
adminSK hynix активизировала разработку DRAM с 3D-компоновкой поверх логического кристалла (3D-Stacked DRAM-on-Logic), предназначенной для работы на оборудовании нового поколения для систем искусственного интеллекта, в том числе мобильных. Компания начала набор специализирующихся на этой технологии инженеров через свой американский филиал в Сан-Хосе. SK hynix уже заключила соглашение с конкретным клиентом на разработку решений на основе этой технологии, передаёт ZDNet. Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора […]