В свежей публикации в журнале Nature исследователи из Samsung с коллегами из Австралии сообщили о разработке NAND-флеш памяти будущего, которая будет потреблять намного меньше энергии и при этом останется высокоплотной. В новой разработке они объединили лучшие полупроводниковые проекты последних 20 лет — затворы из сегнетоэлектриков и каналы из оксидных полупроводников, буквально представив флеш-память будущего.
Наушники HUAWEI FreeBuds 6, которые понимают жесты
Обзор смартфона HONOR X9c Smart: прочность со скидкой
Пять главных фишек камеры HONOR Magic 7 Pro
Обзор смартфона HUAWEI Pura 80: удобный флагман с «Алисой»
Репортаж со стенда HONOR на выставке MWC 2025: передовые новинки и стратегические планы на будущее с ИИ
Обзор планшета HONOR Pad V9: нейросети спешат на помощь
Смартфон HUAWEI Mate 70 Pro как выбор фотографа
Hollow Knight: Silksong — песнь страданий и радостей. Рецензия
Лучший процессор за 20 тысяч рублей — сравнение и тесты
Несмотря на высокую плотность, современная NAND-флеш память обладает серьёзным недостатком — высоким энергопотреблением из-за необходимости больших напряжений записи и стирания (15–20 В). Исследователи из Южной Кореи предложили радикальное решение: заменить традиционные плавающие затворы на сегнетоэлектрические полевые транзисторы (FeFET) с диэлектриком из легированного цирконием оксида гафния (HfZrO) и каналом из оксидного полупроводника (например, IGZO). Это позволило снизить рабочие напряжения при обращении к цепочке ячеек в строке до сверхнизких значений (4–6 В) и, тем самым, значительно понизило потребление памяти.
Сегнетоэлектрики и память FeRAM в частности (в иностранной литературе они называются ферроэлектриками) давно разрабатывается и даже производится как альтернатива NAND-флеш. Главная проблема FeRAM — это сложности с уменьшением площади ячейки. Компания Samsung, к сожалению, не приводит точных данных о характеристиках новой памяти. Можно рассчитывать, что к началу производства новой памяти все основные проблему будут решены. Что касается канала из оксида полупроводника под затвором ячейки памяти, то та же технология IGZO компании Sharp отлично себя проявила при производстве малопотребляющих дисплеев с высочайшим разрешением. Одним словом, обе технологии способны создать прорыв на фронте энергоэффективной NAND.
Вкратце Samsung поясняет, что новая архитектура продемонстрировала выдающиеся характеристики: поддержку многоуровневого хранения данных до 5 бит на ячейку (32 уровня напряжения/заряда), сохранение данных более 10 лет, выносливость свыше 105 циклов и энергопотребление на операцию записи/стирания в строке на 96 % ниже, чем у классической 3D NAND. При этом технология полностью совместима с существующими CMOS-процессами и допускает вертикальную 3D-компоновку слоёв с длиной канала всего 25 нм без ухудшения параметров.
Новая память откроет путь к созданию сверхэкономичной энергонезависимой памяти нового поколения. Такая память идеально подойдёт для мобильных устройств, носимой электроники, интернета вещей, а также для энергоэффективных дата-центров и систем искусственного интеллекта, существенно снижая как стоимость владения, так и углеродный след вычислительной инфраструктуры.
Добавить комментарий