Так называемый «закон Мура», который предписывает удвоение плотности размещения транзисторов на полупроводниковых кристаллах каждые полтора или два года, обеспечивает прогресс далеко не во всех сферах. В частности, улучшить масштабирование при производстве ячеек памяти типа SRAM новый 2-нм техпроцесс не поможет.

TSMC застопорилась при масштабировании памяти SRAM — переход на 2-нм техпроцесс не даст улучшений

Пять главных фишек камеры HONOR Magic 7 Pro

TSMC застопорилась при масштабировании памяти SRAM — переход на 2-нм техпроцесс не даст улучшений

Обзор планшета HONOR Pad V9: нейросети спешат на помощь

TSMC застопорилась при масштабировании памяти SRAM — переход на 2-нм техпроцесс не даст улучшений

Лучший процессор за 20 тысяч рублей — сравнение и тесты

TSMC застопорилась при масштабировании памяти SRAM — переход на 2-нм техпроцесс не даст улучшений

Hollow Knight: Silksong — песнь страданий и радостей. Рецензия

TSMC застопорилась при масштабировании памяти SRAM — переход на 2-нм техпроцесс не даст улучшений

Репортаж со стенда HONOR на выставке MWC 2025: передовые новинки и стратегические планы на будущее с ИИ

TSMC застопорилась при масштабировании памяти SRAM — переход на 2-нм техпроцесс не даст улучшений

Топ-10 смартфонов до 20 тысяч рублей (2025 год)

TSMC застопорилась при масштабировании памяти SRAM — переход на 2-нм техпроцесс не даст улучшений

Смартфон HUAWEI Mate 70 Pro как выбор фотографа

TSMC застопорилась при масштабировании памяти SRAM — переход на 2-нм техпроцесс не даст улучшений

Наушники HUAWEI FreeBuds 6, которые понимают жесты

TSMC застопорилась при масштабировании памяти SRAM — переход на 2-нм техпроцесс не даст улучшений

Обзор смартфона HONOR X9c Smart: прочность со скидкой

TSMC застопорилась при масштабировании памяти SRAM — переход на 2-нм техпроцесс не даст улучшений

Обзор смартфона HUAWEI Pura 80: удобный флагман с «Алисой»

TSMC застопорилась при масштабировании памяти SRAM — переход на 2-нм техпроцесс не даст улучшений

Об этом со ссылкой на полученные от TSMC данные сообщил ресурс ComputerBase.de. Проблема замедления масштабирования геометрии полупроводниковых элементов давно известна в отрасли, и на передовой 2-нм техпроцесс возлагались определённые надежды, но TSMC дала понять, что в случае с SRAM на улучшение рассчитывать не придётся. По крайней мере, здесь всё осталось на одном уровне с техпроцессами N3 и N5.

В рамках 3-нм и 5-нм техпроцессов площадь одной ячейки памяти SRAM составляла идентичные 0,021 квадратных микрометра. Для сравнения, более зрелый техпроцесс N7 обеспечивал площадь одной ячейки на уровне 0,026 квадратных микрометра. Ячейки SRAM остаются важным строительным элементом современных чипов. Они используются для формирования кеш-памяти различных уровней, и порой занимают существенную часть площади кристалла. Чем плотнее их можно размещать, тем лучше для производительности чипа.

С учётом слабого прогресса в масштабировании SRAM, в также появлением новых крупных функциональных блоков, нередко связанных с ИИ, тенденция к увеличению площади современных процессоров никуда не денется, как резюмируют источники.

Если говорить о техпроцессе N3P в исполнении TSMC, который будет использоваться и для производства ускорителей Nvidia Vera Rubin, то его освоение идёт не так гладко, как рассчитывала компания. Имеются проблемы с уровнем брака, поэтому N3P наверняка перейдёт на новую ревизию, прежде чем с его использованием можно будет массово выпускать чипы. Впрочем, и при освоении N3 первого поколения TSMC потратила почти год на устранение всех дефектов, и это не особо ей навредило в условиях почти полного отсутствия конкурентов в сегменте. Крупные чипы со сложной структурой обычно мигрируют на передовые техпроцессы с некоторой задержкой относительно более простой продукции, поэтому некоторые заказчики в таких условиях предпочтут подождать.