Компания SK hynix рассчитывает приступить к коммерческому производству чипов памяти на своём новейшем заводе M15X на четыре месяца раньше запланированного срока, пишет The Elec. По словам источников издания, производитель чипов планирует начать выпуск кристаллов 1b DRAM (10 нм), которые будут использоваться в стеках памяти HBM4 в феврале будущего года.
Топ-10 смартфонов до 35 тысяч рублей (2025 год)
Топ-10 смартфонов до 20 тысяч рублей (2025 год)
Процессоры за 30 тысяч рублей — большой сравнительный тест
Смартфон HUAWEI Pura 80 Pro как универсальный инструмент тревел-фотографа
Российские итоги HUAWEI XMAGE 2025 и выставка «Фото[графическое] путешествие»
HUAWEI XMAGE 2025: мобильная фотография как полноценное окно в мир искусства
Ryzen 9 против Core i9 и Core Ultra 9: большой тест флагманcких процессоров
HUAWEI FreeBuds 7i: ставка на глубину
Первоначально SK hynix планировала начать выпуск пластин для производства памяти на заводе в июне. Ожидается, что начальная мощность завода составит около 10 000 пластин в месяц, но к концу 2026 года она будет увеличена в несколько раз.
По словам источников, производитель чипов активно устанавливает оборудование на заводе для быстрого расширения производственных мощностей. Этот шаг предпринят для удовлетворения спроса на высокопроизводительную память со стороны Nvidia.
Завод SK hynix M15X полностью предназначен для производства памяти HBM4, которая может использоваться в паре с ускорителем искусственного интеллекта нового поколения Nvidia Rubin. Отмечается, что образцы памяти от SK hynix уже прошли клиентскую проверку. В частности, компания изготовила образцы памяти в сентябре и затем поставила их Nvidia. Для компоновки графических процессоров для ИИ Nvidiа будет использовать передовой метод упаковки CoWoS от TSMC.
CoWoS позволяет размещать на одной подложке чипа различные элементы, такие как графический процессор и стеки памяти HBM для обеспечения повышенной скорости передачи данных, рассчитывающейся в терабайтах в секунду. Процесс верификации CoWoS также называется оптимизацией. Для стабильной работы графического процессора и HBM в одном корпусе необходимо установить оптимальные параметры синхронизации сигналов, питания и распределения тепла. Ошибка в этом процессе может привести к снижению производительности продукта или проблем с перегревом. Источники The Elec сообщили, что SK hynix и Nvidia находятся на заключительном этапе оптимизации и что этот процесс проходит гладко.
Издание также сообщает, что компания Samsung тоже отправила Nvidia образцы памяти HBM4, но их тестирование и оптимизация находятся на более ранней стадии. В свою очередь компания Micron заявила, что её мощности по производству HBM4 уже полностью зарезервированы клиентами.
Ожидается, что Nvidia окончательно определится с поставщиками памяти HBM4 для своих ИИ-ускорителей в начале следующего года. А Samsung тем временем пытается увеличить объёмы выпуска годных чипов.
Добавить комментарий