Дефицит производственных мощностей TSMC открывает перед конкурирующей Samsung Electronics новые возможности в сфере контрактного производства чипов. Южнокорейская компания намеревается не только предложить клиентам несколько разновидностей 2-нм техпроцесса, но и к 2030 году освоить 1-нм технологию. В последнем случае будет одновременно внедрена и новая компоновочная схема транзисторов.

Samsung намерена к 2030 году освоить 1-нм техпроцесс и внедрить вилочные листы в транзисторы

Обзор ноутбука HONOR MagicBook X16 2026: как раньше, только лучше

Samsung намерена к 2030 году освоить 1-нм техпроцесс и внедрить вилочные листы в транзисторы

Обзор Ryzen 7 9850X3D: три процента за двадцать баксов

Samsung намерена к 2030 году освоить 1-нм техпроцесс и внедрить вилочные листы в транзисторы

Гид по выбору OLED-монитора в 2026 году: эволюция в деталях

Samsung намерена к 2030 году освоить 1-нм техпроцесс и внедрить вилочные листы в транзисторы

От Ryzen 7 1800X до Ryzen 7 9850X3D: девять лет эволюции AMD в одном тесте

Samsung намерена к 2030 году освоить 1-нм техпроцесс и внедрить вилочные листы в транзисторы

Обзор Apple MacBook Neo: удивительно хороший ноутбук с процессором от iPhone

Samsung намерена к 2030 году освоить 1-нм техпроцесс и внедрить вилочные листы в транзисторы

Ryzen и 16 Гбайт DDR5: как сэкономить на памяти так, чтобы не лишиться 15 % производительности

Samsung намерена к 2030 году освоить 1-нм техпроцесс и внедрить вилочные листы в транзисторы

Компьютер месяца, спецвыпуск: эпоха отката, или Как дефицит чипов памяти влияет на выбор железа для игрового ПК

Samsung намерена к 2030 году освоить 1-нм техпроцесс и внедрить вилочные листы в транзисторы

Обзор Samsung Galaxy Z TriFold: тройной складной смартфон по цене квартиры в Воркуте

Samsung намерена к 2030 году освоить 1-нм техпроцесс и внедрить вилочные листы в транзисторы

Как поясняет Hankyung, речь идёт о так называемой технологии «вилочного листа» (forksheet), которая направлена на дальнейшее увеличение плотности размещения транзисторов и считается эволюционным развитием транзисторов с окружающим затвором (GAA), которые Samsung начала использовать ещё в рамках своей 3-нм технологии. К сожалению, даже опередив TSMC по срокам освоения массового выпуска 3-нм продукции, Samsung не смогла привлечь значительного количества клиентов к данному поколению техпроцесса.

Samsung намерена к 2030 году освоить 1-нм техпроцесс и внедрить вилочные листы в транзисторы

Компоновка типа «вилочный лист» подразумевает размещение изолирующих прослоек между транзисторами типа GAA, что позволяет увеличить плотность размещения транзисторов, тем самым подняв быстродействие чипа без увеличения площади его кристалла. По данным южнокорейских источников, TSMC после 2030 года тоже собирается применять «вилочный лист» в рамках своих технологий 1-нм класса. Обе компании собираются активно конкурировать друг с другом на данном этапе.

Тем временем, на предприятиях Samsung уровень выхода годной продукции по 2-нм техпроцессу поднялся выше 60 %, а объёмы выпуска чипов заметно выросли. Если контрактному бизнесу Samsung удастся привлечь достаточное количество заказов, он может выйти на прибыль в этом году, а пока остаётся убыточным. Компания старается всячески угодить клиентам — для Tesla была разработана версия техпроцесса SF2T. Массовый выпуск чипов для данного заказчика начнётся в конце следующего года на новом предприятии Samsung в Техасе. Для собственных нужд с текущего года Samsung будет использовать техпроцесс SF2P, по которому будут выпускаться мобильные процессоры Exynos. В следующем году техпроцесс эволюционирует до версии SF2P+. Японская Rapidus также намерена скоро начать выпуск 2-нм продукции, так что с учётом предложений Intel конкуренция в этом сегменте только усилится.