Недавно компания Samsung Electronics отчиталась о начале поставок образцов памяти типа HBM4E, но она одновременно уже полным ходом разрабатывает и HBM5. На выставке Computex 2025 она продемонстрировала лишь масштабный макет чипа HBM5, который призван в общих чертах показать его устройство, но уже на этом этапе понятно, что технологически это будет не самый простой вид продукции Samsung.
Компьютер месяца — май 2026 года
Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены
72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию
Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»
Линия защиты: обзор виртуальных машин и песочниц для Android
Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей
Обзор Apple MacBook Neo: удивительно хороший ноутбук с процессором от iPhone
От Ryzen 7 1800X до Ryzen 7 9850X3D: девять лет эволюции AMD в одном тесте
Начнём с того, что базовый кристалл для HBM5 компания собирается выпускать собственными силами по 2-нм технологии. Количество слоёв DRAM, которые будут выпускаться по технологии класса 1c, может варьироваться в случае с HBM5 от 12 до 20 штук. Технический директор профильного подразделения Samsung Electronics Сон Чжэ Хёк (Song Jaehyuk), который присутствовал на стенде компании на Computex 2026, пообещал использование компоновки транзисторов с окружающим затвором (GAA) при производстве 2-нм чипов. Кроме того, он выразил уверенность, что Samsung в целом сможет освоить технологии тоньше 1 нм. Наличие у Samsung контрактного подразделения, по словам представителя компании, позволяет ей удовлетворять требования самых строгих клиентов, включая Nvidia.
Для сравнения, HBM4E подразумевает использование 4-нм базового кристалла и техпроцесса 1c для изготовления чипов DRAM, формирующих стек памяти. Важным нововведением HBM5 станет использование теплоотводного канала Heat Path Block (HPB). Память HBM5 не только увеличит количество слоёв DRAM в стеке, но и скорость обмена информации, поэтому отводу тепла от элементов стека Samsung собирается уделять особое внимание. Технология уже отлажена на примере HBM4E, в дальнейшем компания собирается применять продвинутые способы отвода тепла для повышения стабильности работы памяти такой компоновки. Массовым производством HBM5 южнокорейский гигант собирается заняться с 2028 года. Уже в рамках HBM5E кристаллы DRAM в стеке начнут производиться по более продвинутому техпроцессу 1d.
У конкурирующей SK hynix за охлаждение элементов в стеке будет отвечать схожая технология iHBM, поэтому нельзя утверждать, что решение Samsung в чём-то уникально. Именно при производстве HBM5 компания SK hynix собирается внедрить iHBM в условиях массового выпуска памяти. Кроме того, в составе HBM5 этого производителя также будут присутствовать 2-нм чипы.
Добавить комментарий