SK hynix ускоряет разработку 3D-стекированной DRAM — технологии, аналогичной 3D V-Cache, но для памяти
SK hynix активизировала разработку DRAM с 3D-компоновкой поверх логического кристалла (3D-Stacked DRAM-on-Logic), предназначенной для работы на оборудовании нового поколения для систем искусственного интеллекта, в том …